下村研究室は光集積回路実現に関する研究を行っています。　　　▷English

チップ内光インターコネクションを実現する場合、集積回路の作製されているシリコン基板上に光源であるレーザを集積化することが必要不可欠です。 光源としては光通信で実績のあるIII-V族半導体レーザ（InP系レーザ）が有望です。シリコンとInPは格子定数が異なるため、シリコン基板上に直接結晶成長を することは非常に困難なため、フリップチップボンディングや半導体貼付などのボンディング技術によりシリコン基板へIII-V族半導体レーザを搭載していました。 これに対してわれわれは薄膜InPとシリコン基板を直接貼付し、この基板上にIII-V族半導体を結晶成長し、デバイス加工を行う技術の開発を行っています。 薄膜InP層を直接貼付でき、また有機金属気相成長により結晶成長できる基板であればシリコン基板に限らない技術であり、これまでに石英基板上にも 結晶成長、デバイスを作製しています。